RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
74
Около -139% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2848
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link