RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
74
Около -124% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2478
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link