RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
74
Около -106% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2935
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link