RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
74
Около -80% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
41
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3073
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16HTF25664HZ-800E1 2GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B5170GB0-CH9 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link