RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
74
Около -80% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
41
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3073
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link