RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
74
77
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
5.5
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
77
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
13.1
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
1440
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link