RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Kingston 9905622-057.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
74
Около -131% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2563
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link