RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
74
Около -147% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
16.3
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2953
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link