RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
57
74
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
57
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
9.5
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2213
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link