RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
74
Около -131% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
11.8
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2844
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link