RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
74
Около -155% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
18.7
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3594
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link