RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
73
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2485
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5316-033.A00LF 2GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link