RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
73
Около -217% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2963
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link