RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3442
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link