RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
73
Около -192% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3414
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link