Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 14.5

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 73

Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.6 1,423.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 34
Скорость чтения, Гб/сек

3,510.5 14.5
Скорость записи, Гб/сек

1,423.3 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

476 2576

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB

Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Kingston 9965604-016.C01G 8GB

Kingston 9965604-016.C01G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB

модули RAM