RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
73
Около -128% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2849
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link