RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
73
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2597
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link