RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
73
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3367
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link