RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
13.2
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2595
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link