Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 16.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 73

Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.2 1,423.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 34
Скорость чтения, Гб/сек

3,510.5 16.8
Скорость записи, Гб/сек

1,423.3 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

476 2987

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB

DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Kingston 9905663-021.A00G 16GB

Kingston 9905663-021.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB

Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB

Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Kingston 9905598-028.A00G 8GB

Kingston 9905598-028.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

модули RAM