RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
73
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
40
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3034
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link