RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
73
Около -248% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3437
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link