RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
73
Около -128% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.4
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3340
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link