RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.0
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3786
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link