RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.9
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3501
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link