RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
73
Около -248% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2833
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link