RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2354
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link