RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
73
Около -204% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2731
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link