RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
73
Около -217% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3498
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link