RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
13.5
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2088
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link