RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
73
Около -217% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.2
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2298
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link