RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
73
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.3
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
62
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2138
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link