Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingston 9905630-030.A00G 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка

Kingston 9905630-030.A00G 16GB

Kingston 9905630-030.A00G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 14

Среднее значение в тестах

Kingston 9905630-030.A00G 16GB

Причины выбрать
Kingston 9905630-030.A00G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 73

Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.1 1,423.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Kingston 9905630-030.A00G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 34
Скорость чтения, Гб/сек

3,510.5 14.0
Скорость записи, Гб/сек

1,423.3 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

476 2400

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB

A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB

Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB

Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB

Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB

Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB

Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB

модули RAM