RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingston 9965662-002.A01G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
73
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.6
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
8.6
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2079
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link