RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
73
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2765
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link