RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
73
Около -143% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3090
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link