RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
73
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2876
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link