RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
73
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3243
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link