RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
73
Около -204% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2704
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link