RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
73
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.7
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2277
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link