RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
73
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.7
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
58
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
9.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2172
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link