Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.4

Среднее значение в тестах

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 73

Около -192% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.9 1,423.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 25
Скорость чтения, Гб/сек

3,510.5 15.4
Скорость записи, Гб/сек

1,423.3 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

476 1870

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB

SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

модули RAM

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB

Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 9965643-006.A01G 8GB

Kingston 9965643-006.A01G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB

модули RAM