RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
73
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3482
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link