RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
73
Около -143% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
5300
Около 4.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
23400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2761
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link