RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.9
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3594
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link