RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
73
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5.3
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
45
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
5.3
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
1535
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link