RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
69
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3086
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link