RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
69
Около -176% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
13.7
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2792
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link