RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
69
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2882
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link