Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.9

Среднее значение в тестах

Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB

Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 69

Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.3 1,441.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 34
Скорость чтения, Гб/сек

3,325.1 15.9
Скорость записи, Гб/сек

1,441.2 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

525 2972

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB

Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB

Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB

Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston 9965662-018.A00G 32GB

Kingston 9965662-018.A00G 32GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB

Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB

Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

модули RAM